1. J113_D74Z
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

J113_D74Z 

产品描述

JFET N-Channel Switch

内部编号

3-J113-D74Z

#1

数量:1990
1+¥2.897
10+¥2.105
25+¥1.638
100+¥1.241
250+¥0.877
500+¥0.702
1000+¥0.539
最小起订量:1
美国费城
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#2

数量:3547
1+¥2.8718
10+¥1.8735
100+¥0.8
1000+¥0.6154
2000+¥0.465
10000+¥0.4171
24000+¥0.3897
50000+¥0.3419
100000+¥0.335
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:4000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

J113_D74Z产品详细规格

规格书 J113_D74Z datasheet 规格书
J111-13, MMBFJ111-13
J113_D74Z datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) 2mA @ 15V
漏极至源极电压(VDSS) -
漏电流(ID) - 最大 -
FET 型 N-Channel
- 击穿电压(V(BR)的GSS) 35V
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID 500mV @ 1µA
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
电阻 - RDS(ON) 100 Ohm
安装类型 Through Hole
包装材料 Tape & Box (TB)
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
供应商封装形式 TO-92
最大门源电压 -35
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
渠道类型 N
封装 Ammo
最大功率耗散 625
最大漏极栅极电压 35
最低工作温度 -55
配置 Single
引脚数 3
铅形状 Formed
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) 35V
安装类型 Through Hole
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) 2mA @ 15V
电阻 - RDS(ON) 100 Ohm
供应商设备封装 TO-92-3
电压 - 切断(VGS关)@ Id 500mV @ 1µA
FET型 N-Channel
功率 - 最大 625mW
标准包装 2,000
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
产品种类 JFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 - 35 V
单位重量 0.007090 oz
安装风格 Through Hole
RoHS RoHS Compliant
其他名称 J113_D74ZCT
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - 35 V
系列 J113
品牌 Fairchild Semiconductor

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